Samsung ha comenzado la producción de módulos de memoria RAM
DDR4 basados en el proceso de fabricación de 20nm, y de hasta 32GB con
velocidad de 2400 Mhz.
Hoy en día, los módulos de memoria RAM de tipo DDR4 para
muchos no valen la pena dado que su costo es mayor al de la DDR3 y realmente no
presentan tantos beneficios en papel, al menos no en la actualidad. Sin embargo,
desde Samsung prometen que ya han dado con la solución a este problema, y todo
se basa en un proceso de fabricación diferente, de 20 nanómetros, lo que le
ofrece al módulo algo tan básico como: mayor rendimiento y menor consumo de
energía.
Desde hace un año ya conocemos la memoria RAM DDR4, pero el
problema es que esta cuando cuenta con 32 GB o incluso 16 GB, calienta mucho,
por lo que se necesitaba adaptar ventiladores o condensadores al módulo para
enfriarlos. La solución de Samsung ha sido conseguir un proceso de fabricación
de menos nanómetros, para poder producir módulos de mayor capacidad con menos
consumo de energía, lo que significa que calienta menos.
Sí, es el mismo caso de los procesadores, cuyo proceso de
fabricación no deja de cambiar hacia uno de menos nanómetros buscando siempre
el mayor rendimiento por el menor consumo; esta vez lo han aplicado a la
memoria RAM DDR4 y el resultado ha sido sorprendente: Samsung ya produce
módulos de memoria RAM DDR4 de hasta 32 GB con velocidad de 2400 Mhz, lo que
supera notablemente la velocidad de 1866 Mhz de la RAM DDR3.
Para empezar, Samsung ya comenzó a vender módulos DDR4 de 8
GB, pero muy pronto también comenzará a comercializar los de 32 GB como, en
teoría, la mejor alternativa hasta ahora en cuanto a memoria RAM para los más
exigentes. No solo eso, aseguran que gracias a basarse en el proceso de
fabricación de 20 nm, podrán producir módulos DDR4 de hasta 128 GB (usando
tecnología de memoria 3D), lo que supone sin duda una gran novedad en hardware,
para usos profesionales.


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